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SAMSUNG SERIES 850 EVO ULTRASLIM 500GB 2.5\" SATA III
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SAMSUNG SERIES 850 EVO ULTRASLIM 500GB 2.5" SATA III

[MZ-75E500B/EU]

 180,95€ 

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Descrição

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/images/contents/vimg_ssd850evo_01.jpg

What is 3D V-NAND and how does it differ from existing technology?

Samsung’s unique and innovative 3D V-NAND flash memory architecture is a breakthrough in overcoming the density limitations, performance and endurance of today’s conventional planar NAND architecture. 3D V-NAND is fabricated by stacking 32 cell layers vertically over one another rather than decreasing the cells dimensions and trying to fit itself onto a fixed horizontal space resulting in higher density and better performance utilizing a smaller footprint.

Optimize daily computing with TurboWrite technology for unrivalled read/write speeds

Achieve the ultimate read/write performance to maximize your everyday computing experience with Samsung’s TurboWrite technology. You not only obtain more than a 10% better user experience than 840 EVO* but up to 1.9x faster random write speeds for 120/250 GB models** as well. The 850EVO delivers the top of its class performance in sequential read (540MB/s) and write (520MB/s) speeds. Plus, you also gain optimized random performance in all QD for client PC usage scenario.

* PCmark7(500GB ) : 6700(840 EVO) < 7600(850 EVO)
** Random Write(QD32,120GB) : 36,000 IOPS(840 EVO) < 88,000 IOPS(850 EVO)

Get into the fast lane with the improved RAPID mode

Samsung’s Magician software which provides Rapid Mode for 2x faster processing data speeds* on a system level by utilizing unused PC memory (DRAM) as cache storage. The newest Magician increased the maximum memory usage in Rapid mode from 1 GB, in the previous 840 EVO version, to up to 4 GB with the 850 EVO when implementing 16 GB of DRAM. You also get a 2x performance* boost in all random Queue depth.

* PCMARK7 RAW(500GB) : 7500 < 15000(Rapid mode)

Get into the fast lane with the improved RAPID mode

Specifications

  • PRODUCT TYPE

    2.5" SATA III Solid State Drive

  • CAPACITY

    500GB
  • SEQUENTIAL READ SPEED

    Up to 540 MB/sec

  • SEQUENTIAL WRITE SPEED

    Up to 520 MB/sec



Samsung SSD 850 EVO
Usage Application Client PCs
Capacity 500GB
Dimension (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
Interface SATA 6Gb/s (compatible with SATA 3Gb/s and SATA 1.5Gb/s)
Form factor 2.5 inch
Controller 500GB : Samsung MGX controller
NAND Flash Memory Samsung 32 layer 3D V-NAND
DRAM Cache Memory 256MB (120GB) LPDDR2
Performance* Sequential Read Max. 540 MB/s
Sequential Write** Max. 520 MB/s
4KB Random Read (QD1) Max. 10,000 IOPS
4KB Random Write (QD1) Max. 40,000 IOPS
4KB Random Read (QD32) Max. 94,000 IOPS(120GB)
4KB Random Write (QD32) Max. 88,000 IOPS(120GB/250GB)
Data Security AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE)
TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
Weight Max. 66g (1TB)
Reliability MTBF: 1.5 million hours
TBW 120GB: 75TBW
Power Consumption*** Active Read/Write (Average): Max. 3.7W(1TB) / Max. 4.4W(1TB)
Idle: Max. 50mW
Device Sleep: 2mW(120/250/500GB), 4mW(1TB)
Supporting features TRIM(Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T.
Temperature Operating: 0°C to 70°C
Non-Operating: -40°C to 85°C
Humidity 5% to 95%, non-condensing
Vibration Non-Operating: 20~2000Hz, 20G
Shock Non-Operating: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis

Para mais informação, visite a Página do Produto.

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